[发明专利]多晶硅破碎物的制造方法、以及管理多晶硅破碎物的表面金属浓度的方法有效
| 申请号： | 201880027331.0 | 申请日： | 2018-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN110621619B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 西村茂树 | 申请（专利权）人： | 株式会社德山 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035;B02C1/02;B02C13/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本山口*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多晶硅破碎物的制造方法，其包括：通过西门子法来制造多晶硅棒的工序；将该多晶硅棒破碎，得到多晶硅破碎物的工序；以及将该多晶硅破碎物在清洗槽内蚀刻来清洗的工序，在该清洗工序中，包括如下工序：使具有被控制的形状和尺寸的多晶硅小片组存在于清洗槽内，测定蚀刻处理前后的该多晶硅小片组的重量变化，管理清洗工序。另外，本发明涉及一种多晶硅破碎物的表面金属浓度的管理方法。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 破碎 制造 方法 以及 管理 表面 金属 浓度 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅破碎物的制造方法，其包括：/n通过西门子法来制造多晶硅棒的工序；/n将多晶硅棒破碎，得到多晶硅破碎物的工序；以及/n将多晶硅破碎物在清洗槽内蚀刻来清洗的工序，/n在该清洗工序中，使具有被控制的形状和尺寸的多晶硅小片组存在于清洗槽内，测定蚀刻处理前后的该多晶硅小片组的重量变化，管理清洗工序。/n
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