[发明专利]选择器件和存储装置在审
| 申请号： | 201880027401.2 | 申请日： | 2018-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN110546755A | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 五十岚实;曾根威之;野野口诚二;清宏彰;大场和博 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L21/8239 | 分类号： | H01L21/8239;H01L27/105;H01L45/00;H01L49/00 |
| 代理公司： | 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张小稳<国际申请>=PCT/JP2018 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了根据本公开的一个实施例的选择器件，该选择器件具有：第一电极；与第一电极对置的第二电极；半导体层，设置在第一电极和第二电极之间，并且包括从碲(Te)、硒(Se)和硫(S)中选择的至少一种硫族元素，以及包括从硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)、磷(P)、砷(As)、碳(C)、锗(Ge)和硅(Si)中选择的至少一种第一元素；以及第一热旁路层，其具有比半导体层高的热导率，并且设置在第一电极和第二电极之间、在半导体层的外围的至少一部分中。 | ||
| 搜索关键词： | 第一电极 第二电极 半导体层 选择器件 硫族元素 热导率 对置 旁路 半导体 外围 | ||
【主权项】：
1.一种选择器件，包括：/n第一电极；/n与第一电极对置的第二电极；/n半导体层，设置在第一电极和第二电极之间，并且包括从碲(Te)、硒(Se)和硫(S)中选择的至少一种硫族元素，以及从硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)、磷(P)、砷(As)、碳(C)、锗(Ge)和硅(Si)中选择的至少一种第一元素；以及/n第一热旁路层，设置在第一电极和第二电极之间的半导体层周围的至少一部分中，并且具有比半导体层高的热导率。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
