[发明专利]单晶硅的提拉方法有效

专利信息
申请号: 201880027700.6 申请日: 2018-02-15
公开(公告)号: CN110719974B 公开(公告)日: 2021-09-07
发明(设计)人: 安部贵裕 申请(专利权)人: 胜高股份有限公司
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C30B15/10
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 张桂霞;杨戬
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 单晶硅的提拉方法,该提拉方法是通过直拉法从在石英坩埚内使结晶用硅原料熔融而得到的熔融液中提拉并培育单晶硅,其中,当石英坩埚的内壁为合成石英层时,在石英坩埚内填充结晶用硅原料之前,在石英坩埚内壁的底面、或者底面和侧面的双方涂布含有析晶促进剂、增稠剂和溶剂的凝胶状液体,而当石英坩埚的内壁为天然石英层时,在石英坩埚内填充结晶用硅原料之前,在石英坩埚内壁的底面和侧面的双方涂布凝胶状液体。
搜索关键词: 单晶硅 方法
【主权项】:
1.单晶硅的提拉方法,该提拉方法是通过直拉法从在石英坩埚内使结晶用硅原料熔融而得到的熔融液中提拉并培育单晶硅,其特征在于:/n当上述石英坩埚的内壁为合成石英层时,在上述石英坩埚内填充上述结晶用硅原料之前,在上述石英坩埚内壁的底面、或者底面和侧面的双方涂布含有析晶促进剂、增稠剂和溶剂的凝胶状液体,/n当上述石英坩埚的内壁为天然石英层时,在上述石英坩埚内填充上述结晶用硅原料之前,在上述石英坩埚内壁的底面和侧面的双方涂布上述凝胶状液体。/n
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