[发明专利]用于V族掺杂的薄膜堆叠件、包括薄膜堆叠件的光伏器件以及用于形成具有薄膜堆叠件的光伏器件的方法在审
| 申请号： | 201880027701.0 | 申请日： | 2018-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN110546770A | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | S.格罗弗;李政昊;李晓萍;陆定原;R.马利克;熊刚 | 申请（专利权）人： | 第一阳光公司 |
| 主分类号： | H01L31/0296 | 分类号： | H01L31/0296 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 付曼;杨美灵<国际申请>=PCT/US2 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 根据本文所提供的实施例，用于形成光伏器件的方法能够包括使多个半导体层沉积。多个半导体层能够包括掺杂有V族掺杂剂的掺杂层。掺杂层能够包括硒化镉或碲化镉。该方法能够包括使多个半导体层退火以形成吸收剂层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 掺杂层 退火 光伏器件 吸收剂层 掺杂剂 硒化镉 碲化镉 沉积 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成光伏器件的方法，包括：/n使多个半导体层沉积，其中：/n所述多个半导体层包括掺杂有V族掺杂剂的掺杂层，以及/n所述掺杂层包括硒化镉、碲化镉或其组合；以及/n使所述多个半导体层退火，由此形成吸收剂层，其中：/n所述吸收剂层包括镉、硒和碲，以及/n所述吸收剂层中的所述V族掺杂剂的总剂量大于0%并且小于0.1 %。/n
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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