[发明专利]离子交换膜、其制造方法及包括其的能量存储装置有效
申请号: | 201880027998.0 | 申请日: | 2018-02-28 |
公开(公告)号: | CN110573559B | 公开(公告)日: | 2022-09-09 |
发明(设计)人: | 李殷受;李瞳熏;金娜玲;廉承辑 | 申请(专利权)人: | 可隆工业株式会社 |
主分类号: | C08J5/22 | 分类号: | C08J5/22;H01M8/1053;H01M8/1023;H01M8/1069;H01M8/18 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 李琳;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种离子交换膜、该离子交换膜的制造方法以及包括该离子交换膜的能量存储系统。离子交换膜包括:包括多个孔的多孔支撑体;位于多孔支撑体的一个表面上的第一离子导电材料;以及位于多孔支撑体的另一个表面上的第二离子导电材料,其中,第一离子导电材料和第二离子导电材料是包括亲水性重复单元和疏水性重复单元的聚合物,并且第一离子导电材料和第二离子导电材料具有不同的、亲水性重复单元与疏水性重复单元的摩尔比。根据该离子交换膜,由于优异的离子导电性能以及降低的膜电阻而提高能量存储系统的性能效率和电压效率这两者,从而能够提高能量存储系统的总效率,并且通过具有优异的形态稳定性并降低钒离子的交叉,能够确保能量存储系统的耐久性。 | ||
搜索关键词: | 离子交换 制造 方法 包括 能量 存储 装置 | ||
【主权项】:
1.一种离子交换膜,包括:/n多孔支撑体,所述多孔支撑体包括多个孔;/n第一离子导电材料,所述第一离子导电材料位于所述多孔支撑体的一个表面上;以及/n第二离子导电材料,所述第二离子导电材料位于所述多孔支撑体的另一个表面上,/n其中,所述第一离子导电材料和所述第二离子导电材料是包括亲水性重复单元和疏水性重复单元的聚合物,并且/n所述第一离子导电材料和所述第二离子导电材料具有不同的所述亲水性重复单元与所述疏水性重复单元的摩尔比。/n
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