[发明专利]具有包含TaC的涂层的碳材料及其制造方法有效
申请号: | 201880028003.2 | 申请日: | 2018-04-27 |
公开(公告)号: | CN110582476B | 公开(公告)日: | 2022-05-24 |
发明(设计)人: | 曺東完 | 申请(专利权)人: | 韩国东海炭素株式会社 |
主分类号: | C23C16/32 | 分类号: | C23C16/32;C04B41/87;C04B35/52;C04B38/00;C04B41/45;C04B41/50;C04B41/00 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 宋融冰 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及在碳基材上形成有包含TaC(碳化钽)的涂层的碳材料及其制造方法,根据本发明的包含TaC的涂层的碳材料,包括碳基材;及在所述碳基材上形成的平均结晶粒大小为10μm‑50μm的包含TaC的涂层。 | ||
搜索关键词: | 具有 包含 tac 涂层 材料 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种具有包含TaC的涂层的碳材料,包括:/n碳基材;及/n在所述碳基材上形成的平均结晶粒大小为10μm-50μm的包含TaC的涂层。/n
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的