[发明专利]X射线和伽玛射线光电二极管在审

专利信息
申请号: 201880028243.2 申请日: 2018-02-28
公开(公告)号: CN110869810A 公开(公告)日: 2020-03-06
发明(设计)人: 安娜·梅根·巴内特;西尔维亚·布泰拉 申请(专利权)人: 萨塞克斯大学
主分类号: G01T1/24 分类号: G01T1/24;H01L27/146;H01L31/117
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 宋融冰
地址: 英国英格*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 公开一种在检测X射线和/或伽玛射线中使用的光电二极管。所述光电二极管包括InGaP,InGaP被布置和配置为吸收入射到所述光电二极管上的X射线和/或伽玛射线,并且响应于此产生电荷‑载流子。所述检测器可以被提供于X射线或伽玛射线光子计数谱仪中。
搜索关键词: 射线 光电二极管
【主权项】:
暂无信息
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