[发明专利]用于加速度计的去耦结构

摘要

一种加速度计，包括去耦结构，用于通过支承用于测量加速度的MEMS传感器芯片而将加速度计固定在封装上。MEMS传感器芯片包括半导体材料的第一传感器晶片层。去耦结构形成用于将去耦结构固定在封装上的底部部分和被固定到第一传感器晶片层的顶部部分。顶部部分在第一平面方向上的宽度小于底部部分的宽度。去耦结构由与第一传感器晶片层相同的半导体材料制成。顶部部分和底部部分是由同一晶片层制造的。顶部部分在第一平面方向上的中心点被布置在底部部分的中心区中。MEMS传感器芯片包括密闭地封闭的腔体，其包括MEMS传感器芯片的振动质量部。

主权项

1.一种被配置为附接在基底表面（20）上的加速度计，包括：/n去耦结构（3），用于将加速度计固定在基底表面（20）上；和/nMEMS传感器芯片（10），用于测量加速度，其中MEMS传感器芯片（10）由去耦结构（3）支承并且包括半导体材料的第一传感器晶片层（11）；/n其中，去耦结构（3）形成底部部分（30）和顶部部分（31），底部部分（30）用于将去耦结构（3）固定在基底表面上，顶部部分（31）被固定到第一传感器晶片层（11）从而MEMS传感器芯片（10）被布置在去耦结构（3）之上；/n其中，顶部部分（31）在第一平面方向（41）上的宽度（w2）小于底部部分（30）在第一平面方向（41）上的宽度（w1）；/n其中，顶部部分（31）和底部部分（30）是由同一晶片层制造的；/n其中，顶部部分（31）在第一平面方向（41）上的中心点（C）被布置在底部部分（30）在第一平面方向（41）上的中心区（cr）中；/n其中，去耦结构（3）由与第一传感器晶片层（11）相同的半导体材料制成；以及/n其中，MEMS传感器芯片（10）包括密闭地封闭的腔体（16），密闭地封闭的腔体（16）包括MEMS传感器芯片（10）的振动质量部（14）。/n