[发明专利]具有III–V族增益材料和集成散热器的电光器件在审
| 申请号： | 201880028675.3 | 申请日： | 2018-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN110574176A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | C·卡尔;H·哈恩 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L33/64 | 分类号： | H01L33/64;H01S5/323 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 姚杰 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 具有两个晶片组件的电光器件及其制造方法。第一晶片组件包括硅衬底及其顶部上的覆层。覆层包括在其中形成的空腔，其中该空腔填充有电绝缘的散热片，该散热片的导热率大于覆层的导热率。第二晶片组件包括III‑V族半导体增益材料的堆叠，设计用于给定辐射的光学放大。第二晶片组件被接合到第一晶片组件上，从而使III‑V族半导体增益材料的叠层与散热片热连通。另外，对于所述给定辐射，散热片的折射率低于硅衬底的折射率和III‑V族半导体增益材料叠层的平均折射率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片组件 散热片 增益材料 覆层 半导体 导热率 硅衬底 折射率 叠层 平均折射率 电光器件 光学放大 空腔填充 辐射 接合 电绝缘 热连通 堆叠 空腔 制造 | ||
【主权项】：
1.一种电光器件，包括：/n第一晶片组件，包括硅衬底和所述硅衬底顶部上的覆层，所述覆层包括在其中形成的空腔，所述空腔填充有电绝缘的散热片，所述散热片具有比该覆层的导热率更大的导热率；和/n第二晶片组件，包括III-V族半导体增益材料的堆叠，设计用于给定辐射的光放大，其中第二晶片组件与第一晶片组件接合，使得所述III-V族半导体增益材料的堆叠与所述散热片热连通；并且/n所述散热片的折射率低于以下每一个：/n所述硅衬底的折射率；和/n对于所述给定辐射来说所述III-V族半导体增益材料堆叠的平均折射率。/n
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