[发明专利]具有真空隔离和预处理环境的高压退火腔室有效
申请号: | 201880028790.0 | 申请日: | 2018-04-19 |
公开(公告)号: | CN110574150B | 公开(公告)日: | 2023-09-19 |
发明(设计)人: | T·J·富兰克林 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖;张鑫 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开内容的实施例总体涉及用于填充基板上的缝隙和沟槽的方法和设备以及用于批次退火基板的工具。在一个实施例中,公开的批次处理腔室包括下壳、穿过下壳形成的基板移送端口、设置于下壳上的上壳、设置于上壳内的内壳、操作用来加热内壳的加热器、可移动地设置于下壳内的升降板、设置于升降板上且被配置以固持多个基板于内腔室内的匣以及注入端口。内壳与上壳界定外腔室,而内壳与下壳界定部分地由外腔室所包围的内腔室。注入端口被配置以将流体引入内腔室。 | ||
搜索关键词: | 具有 真空 隔离 预处理 环境 高压 退火 | ||
【主权项】:
1.一种批次处理腔室,包括:/n下壳;/n基板移送端口,所述基板移送端口穿过所述下壳形成;/n上壳,所述上壳设置于所述下壳上;/n内壳,所述内壳设置于所述上壳内,所述内壳与所述上壳界定外腔室,所述内壳与所述下壳界定与所述外腔室隔离的内腔室;/n加热器,所述加热器操作用来加热所述内壳;/n升降板,所述升降板可移动地设置于所述下壳内,其中所述升降板在处于升高位置时将所述内腔室密封地分成高压区和低压区,所述高压区由所述升降板和所述内壳所界定;/n匣,所述匣设置于所述升降板上且被配置以固持多个基板;和/n注入端口,所述注入端口被配置以将流体引入所述内腔室中。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造