[发明专利]用于间接检测电磁辐射的半导体器件及制造方法有效
| 申请号： | 201880029121.5 | 申请日： | 2018-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN110785678B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 延斯·霍弗里希特;吉·迈南;约瑟夫·佩特尔;托马斯·特罗克勒 | 申请（专利权）人： | AMS国际有限公司 |
| 主分类号： | G01T1/20 | 分类号： | G01T1/20;G01T1/24 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 谢攀;刘继富 |
| 地址： | 瑞士拉*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体器件包括具有主表面(10)的半导体材料的衬底(1)、衬底中的集成电路(2)、布置在主表面上或上方的光电探检测元件(3)或光电检测元件(3)的阵列、以及布置在主表面上方的至少一个纳米材料膜(11、13)。纳米材料膜的至少一部分具有闪烁特性。制作的方法包括使用溶剂，特别地通过喷射印刷、通过丝网印刷、通过旋涂或通过喷涂来施加纳米材料膜。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 间接 检测 电磁辐射 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于检测电磁辐射的半导体器件，包括：/n具有主表面(10)的半导体材料的衬底(1)，/n在所述衬底(1)中的集成电路(2)，/n布置在所述主表面(10)上方的纳米材料膜(11)，所述纳米材料膜(11)的至少一部分具有闪烁特性，以及/n布置在主表面(10)处、所述衬底(1)中或布置在主表面(10)与纳米材料膜(11)之间的半导体层(14)中的光电检测元件(3)或光电检测元件(3)的阵列，所述光电检测元件(3)或光电检测元件(3)的阵列配置为检测由所述纳米材料膜(11)转换的电磁辐射。/n
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