[发明专利]在高温陶瓷加热器上的集成衬底温度测量在审
| 申请号： | 201880029349.4 | 申请日： | 2018-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN110603634A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 张轶珍;R·乔德里;J·D·平松二世;J·M·舒浩勒;H·K·帕纳瓦拉皮尔库马兰库提 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司： | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 侯颖媖;张鑫 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文的实施方式提供了一种用于在诸如等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺之类的等离子体增强沉积工艺期间直接地监测衬底的温度的衬底温度监测系统。在一个实施方式中，一种衬底支撑组件包括：支撑轴；衬底支撑件，所述衬底支撑件设置在所述支撑轴上；以及衬底温度监测系统，所述衬底温度监测系统用于测量待设置在所述衬底支撑件上的衬底的温度。所述衬底温度监测系统包括光纤管、耦接到所述光纤管的光导、以及围绕所述光纤管和所述光导的接合处设置的冷却组件。在本文中，所述光导的至少一部分设置在延伸穿过所述支撑轴并进入所述衬底支撑件的开口中，并且所述冷却组件在衬底处理期间维持所述光纤管处于低于约100℃的温度。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 温度监测系统 衬底支撑件 光纤管 支撑轴 光导 冷却组件 等离子体增强化学气相沉积 等离子体增强沉积 衬底支撑组件 衬底处理 延伸穿过 接合处 测量 开口 监测 | ||
【主权项】：
1.一种衬底支撑组件，包括：/n支撑轴；/n衬底支撑件，所述衬底支撑件设置在所述支撑轴上；以及/n衬底温度监测系统，所述衬底温度监测系统用于测量待设置在所述衬底支撑件上的衬底的温度，所述衬底温度监测系统包括：/n光纤管；/n光导，所述光导耦接到所述光纤管，其中所述光导的至少一部分设置在开口中，/n所述开口延伸穿过所述支撑轴并进入所述衬底支撑件；以及/n冷却组件，所述冷却组件围绕所述光纤管和所述光导的接合处设置，其中所述冷却组件在衬底处理期间维持所述光纤管处于低于约100℃的温度。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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