[发明专利]用于功函数减少和热离子能量变换的系统和方法有效

专利信息
申请号: 201880029440.6 申请日: 2018-05-02
公开(公告)号: CN110603622B 公开(公告)日: 2022-05-27
发明(设计)人: 贾瑞德·威廉·施韦德;卢卡斯·海因里希·赫斯 申请(专利权)人: 火花热离子学公司
主分类号: H01J45/00 分类号: H01J45/00;H01L35/18;H01L35/14;H01L35/30;H01L35/22
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 武娟;杨明钊
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种热离子能量变换器,优选地包括阳极和阴极。热离子能量变换器的阳极优选地包括n型半导体、一个或更多个补充层、和电触点。一种用于功函数减少和/或热离子能量变换的方法,该方法优选地包括将热能输入到热离子能量变换器,照射热离子能量变换器的阳极,从而优选地减少阳极的功函数,并从系统提取电功率。
搜索关键词: 用于 函数 减少 离子 能量 变换 系统 方法
【主权项】:
1.一种用于操作热离子能量变换器(TEC)的方法,所述方法包括:/n减少所述TEC的阳极的功函数,包括:/n用多个光子照射所述阳极;和/n在所述阳极的n型半导体处,吸收所述多个光子;和/n在减少所述功函数的同时生成热离子电流,包括:/n在所述TEC的阴极处,热离子地发射多个电子;/n在所述阳极处,在吸收所述多个光子的同时捕获所述多个电子;和/n在所述阳极处,提供所述多个电子作为电功率;/n其中,所述阳极包括:/n所述n型半导体;/n功函数减少层;和/n中间层,所述中间层被构造在所述n型半导体和所述功函数减少层之间。/n
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