[发明专利]光电转换元件及光学测定装置在审
| 申请号： | 201880029826.7 | 申请日： | 2018-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN110622323A | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 雫石诚;武藤秀树 | 申请（专利权）人： | 雫石诚 |
| 主分类号： | H01L31/10 | 分类号： | H01L31/10 |
| 代理公司： | 11635 北京思格颂知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王申 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明实现了使用硅基板的光电转换元件的高灵敏度化、低噪声化、低耗电化、高分辨率化、分光灵敏度的长波长化、减少环境光、或者不易受像素间串扰影响的结构。在以形成有集成电路的硅基板(1)的侧端部为受光面的光电转换区域中掺杂锗，并且在光电转换区域的周围配置金属反射膜(31)。 | ||
| 搜索关键词： | 光电转换区域 硅基板 光电转换元件 分光灵敏度 金属反射膜 低耗电化 高分辨率 高灵敏度 侧端部 长波长 低噪声 环境光 串扰 受光 像素 集成电路 掺杂 配置 | ||
【主权项】：
1.一种光电转换元件，其特征在于，将硅基板的形成有集成电路的面定义为X-Y平面，将与所述X-Y平面垂直的所述硅基板的厚度方向定义为Z轴时，具有以所述硅基板的侧端部为受光面的光电转换区域，所述光电转换区域中含锗的硅锗区域沿与所述X-Y平面平行的方向延伸，且所述Z轴方向上的锗的最大浓度峰值的位置位于所述Z轴方向上的所述硅基板的中心附近。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
