[发明专利]利用X射线散射测量术对深层结构进行工艺监测在审
| 申请号： | 201880030145.2 | 申请日： | 2018-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN110603435A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | A·吉里纽;T·G·奇乌拉 | 申请（专利权）人： | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N23/20 | 分类号： | G01N23/20;G01N23/201;G01B15/00;G03F7/20;H01L21/66 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘丽楠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在本文中呈现用于基于高纵横比半导体结构的x射线散射测量术测量而估计工艺参数、结构参数或两者的值的方法及系统。以制作工艺流程的一或多个步骤来执行X射线散射测量术测量。迅速地且以充分准确度执行所述测量以达成进行中半导体制作工艺流程的合格率改进。基于所关注参数的所测量值而确定工艺校正且将所述校正传递到工艺工具以改变所述工艺工具的一或多个工艺控制参数。在一些实例中，在处理晶片的同时执行测量以控制进行中制作工艺步骤。在一些实例中，在特定工艺步骤之后执行X射线散射测量术测量且更新工艺控制参数以用于处理未来装置。 | ||
| 搜索关键词： | 测量 散射测量 工艺控制参数 工艺工具 工艺流程 校正 半导体结构 半导体制作 准确度 处理晶片 高纵横比 工艺步骤 结构参数 制作工艺 合格率 传递 更新 制作 改进 | ||
【主权项】：
1.一种基于x射线散射测量术的计量系统，其包括：/nx射线照射源，其经配置以提供经引导到测量光点的一定量的x射线照射光，所述测量光点包含部分地制作于半导体晶片上的一或多个高纵横比结构；/n检测器，其经配置以响应于所述一定量的x射线照射光而检测从所述半导体晶片反射或透射穿过所述半导体晶片的一定量的x射线光；及/n计算系统，其经配置以：/n基于所检测到的所述一定量的x射线光而确定与所述部分地制作的一或多个高纵横比结构相关联的一或多个所关注参数的值；及/n将所述一或多个所关注参数的所述值的指示传递到制作工具，所述指示致使所述制作工具调整所述制作工具的一或多个工艺控制参数的值。/n
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