[发明专利]斜面蚀刻轮廓控制有效
申请号: | 201880030307.2 | 申请日: | 2018-05-07 |
公开(公告)号: | CN110914954B | 公开(公告)日: | 2023-09-08 |
发明(设计)人: | 苏宗辉;V·普拉巴卡尔;A·A·哈贾;J·李 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;C23C16/455;H01L21/67 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖;张鑫 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了用于斜面蚀刻处理的方法和设备,并且包括将衬底放置在容纳设置在所述衬底上方的掩模的处理腔室中,其中所述衬底具有边缘和中心并含有沉积的层。所述方法包括:使等离子体沿着所述掩模的外表面并向所述衬底的所述边缘流动;以及使所述边缘暴露于所述等离子体并用所述等离子体从所述边缘蚀刻所述沉积的层。所述方法还包括:使净化气体从定位在所述掩模的内表面上的两个或更多个开口并向所述衬底的所述中心流动;以及使所述衬底的所述上表面在所述中心处暴露于所述净化气体并使所述净化气体从所述中心沿着所述上表面朝向所述边缘径向地流动,以在所述等离子体和所述净化气体的界面处形成蚀刻轮廓。 | ||
搜索关键词: | 斜面 蚀刻 轮廓 控制 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造