[发明专利]用于电子器件的测试设备的探针卡多层结构的制造方法

摘要

本发明涉及一种用于制造用于电子器件的测试设备的探针卡(1)的多层结构(30)的方法，该方法包括以下步骤：提供从第一介电层(30a)起到最后一个介电层(30n)的多个介电层(30a‑30n)；通过激光烧蚀在所述多个介电层(30a‑30n)的每个介电层(30a，30b)中实现在每个介电层(30a，30b)中数量相同的多个穿通结构(31a，31b)，所述多个穿通结构(31a，31b)适于将每个介电层(30a，30b)的相对面彼此连接；通过导电材料填充所述多个穿通结构(31a，31b)，以在每个介电层(30a，30b)中形成多个导电结构(34a，34b)；以及叠加所述多个介电层(30a‑30n)，使得每个介电层(30a)的所述多个导电结构中的每个导电结构(34a)与所述多层结构(30)中的后续相邻的介电层(30b)的所述多个导电结构的相应导电结构(34b)接触并以此方式形成多个导电路径(36)，所述导电路径(36)在于所述第一介电层(30a)的暴露面处布置在所述多层结构(30)的第一面(F1)上的第一多个接触垫(30A)和于所述最后一个介电层(30n)的暴露面处布置在在所述多层结构(30)的第二相对面(F2)上的第二多个接触垫(30B)之间建立电连接，所述第二多个接触垫(30B)具有比所述第一多个接触垫(30A)更大的间距，所述多层结构(30)在通过所述导电路径(36)连接的所述多个接触垫(30A，30B)之间进行空间变换。

主权项

1.一种用于制造用于电子器件的测试设备的探针卡(1)的多层结构(30)的方法，包括以下步骤：/n-提供从第一介电层(30a)起到最后一个介电层(30n)的多个介电层(30a-30n)；/n-通过激光烧蚀在所述多个介电层(30a-30n)的每个介电层(30a，30b)中形成多个穿通结构(31a，31b)，所述多个穿通结构在每个介电层(30a，30b)中以匹配数量出现，所述匹配数量的穿通结构(31a，31b)适于使之与每个介电层(30a，30b)的相对面接触；/n-通过导电材料填充所述多个穿通结构(31a，31b)，以在每个介电层(30a，30b)中实现多个导电结构(34a，34b)；以及/n-以使每个介电层(30a)的所述多个导电结构中的每个导电结构(34a)与所述多层结构(30)中的后续且邻近的介电层(30b)的所述多个导电结构的相应导电结构(34b)接触并形成多个导电路径(36)的方式叠加所述多个介电层(30a-30n)；/n所述导电路径(36)在于所述多层结构(30)的第一面(F1)上形成的第一多个接触垫(30A)和于所述多层结构(30)的第二相对面(F2)上形成的第二多个接触垫(30B)之间建立电连接，所述多层结构(30)的第一面(F1)与所述第一介电层(30a)的暴露面相对应，所述多层结构(30)的第二相对面(F2)与所述最后一个介电层(30n)的暴露面相对应，所述第二多个接触垫(30B)具有比所述第一多个接触垫(30A)更大的对称中心距离，因此所述多层结构(30)在通过所述连接路径(36)连接的所述多个接触垫(30A，30B)之间进行空间变换。/n