[发明专利]使用相变材料的光电器件在审
申请号: | 201880031189.7 | 申请日: | 2018-05-03 |
公开(公告)号: | CN110622314A | 公开(公告)日: | 2019-12-27 |
发明(设计)人: | 赛义德·加齐·萨尔瓦特;热拉尔多·罗德里格斯·赫南德斯;哈里什·巴斯卡兰 | 申请(专利权)人: | 牛津大学科技创新有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 11240 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 刘丹 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种用于检测光的装置(200),包括检测器(100)和读出电路(150)。检测器(100)包括:基板(10)、由基板(10)支撑的相变材料层(16)、与相变材料层(16)电接触的第一电极(14)、以及与相变材料层(16)电接触的第二电极(18)。第一电极和第二电极(14、18)可操作以通过由于第一电极与第二电极(14、18)之间的偏置电压使电流穿过相变材料而偏置相变材料(16)。读出电路(15)被配置为:通过在第一电极与第二电极(14、18)之间施加偏置电压而偏置相变材料层(16);通过检测由于相变材料层(16)中的相变而导致的相变材料层(16)的电阻改变来检测入射到相变材料(16)上的光;在相变材料层(16)中的相变之后,通过经由第一电极和第二电极(14、18)施加重置脉冲来重置相变材料层(16)。 | ||
搜索关键词: | 相变材料层 第二电极 第一电极 相变材料 检测器 读出电路 偏置电压 电接触 基板 偏置 施加 重置脉冲 检测光 可操作 检测 电阻 入射 重置 穿过 配置 支撑 | ||
【主权项】:
1.一种用于检测光的装置,包括检测器和读出电路,其中,所述检测器包括:/n基板、由所述基板支撑的相变材料层、与所述相变材料层电接触的第一电极、以及与所述相变材料层电接触的第二电极,其中,所述第一电极和所述第二电极能操作以通过由于所述第一电极与所述第二电极之间的偏置电压使电流穿过所述相变材料而偏置所述相变材料;/n并且所述读出电路被配置为:/n通过在所述第一电极与所述第二电极之间施加偏置电压而偏置所述相变材料层;/n通过检测由于所述相变材料层中的相变而导致的所述相变材料层的电阻改变来检测入射到所述相变材料上的光;/n在所述相变材料层中发生相变之后,通过经由所述第一电极和所述第二电极施加重置脉冲来重置所述相变材料层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的