[发明专利]摄像装置和电子设备在审
| 申请号： | 201880031456.0 | 申请日： | 2018-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN110785849A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 工藤义治 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 11290 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 姚鹏;曹正建 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种摄像装置包括：多个像素晶体管，位于半导体基板的基板表面处；元件隔离区域，用于将所述多个像素晶体管彼此隔离；电荷存储区域，其位于所述半导体基板中比所述基板表面更深的位置处；以及电荷放电层，其具有与所述电荷存储区域相同的导电类型。所述电荷放电层布置在元件隔离区域与电荷存储区域之间。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷存储区域 元件隔离区域 半导体基板 像素晶体管 电荷放电 基板表面处 导电类型 基板表面 摄像装置 位置处 隔离 | ||
【主权项】：
1.一种摄像装置，包括：/n多个像素晶体管，其位于半导体基板的表面处；/n元件隔离区域，其用于将所述多个像素晶体管彼此隔离；/n电荷存储区域，其位于所述半导体基板中比所述基板表面更深的位置处；以及/n电荷放电层，其具有与所述电荷存储区域相同的导电类型，其中，所述电荷放电层布置在所述元件隔离区域与所述电荷存储区域之间。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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