[发明专利]半导体烧结体、电气电子部件及半导体烧结体的制造方法在审
| 申请号： | 201880031777.0 | 申请日： | 2018-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN110622326A | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 贞赖直树 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L35/14 | 分类号： | H01L35/14;B82Y30/00;H01L35/34 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体烧结体，包括多晶体，所述多晶体包括硅或硅合金，构成所述多晶体的晶粒的平均粒径为1μm以下，在所述晶粒的晶界存在包括硅的碳化物、氮化物、氧化物的一种以上的纳米颗粒。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶体 晶粒 纳米颗粒 平均粒径 氮化物 硅合金 烧结体 碳化物 氧化物 晶界 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种半导体烧结体，包括多晶体，/n所述多晶体包括硅或硅合金，/n构成所述多晶体的晶粒的平均粒径为1μm以下，/n在所述晶粒的晶界存在包括硅的碳化物、氮化物、氧化物的一种以上的纳米颗粒。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日东电工株式会社，未经日东电工株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880031777.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
