[发明专利]具有共用栅极堆叠的双通道CMOS在审
| 申请号： | 201880032181.2 | 申请日： | 2018-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN110692119A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 李忠贤;安藤崇志;V·纳拉亚南;H·贾甘纳特涵 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 边海梅 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施例涉及用于具有共用过栅极堆叠的双通道互补金属氧化物半导体(CMOS)的方法和所得结构。在衬底上形成第一半导体鳍片。在衬底上与第一半导体鳍片相邻地形成第二半导体鳍片。在第一和第二半导体鳍片上形成氧化物层，并在有效增加第二半导体鳍片的锗浓度的温度下退火。退火工艺对第二半导体鳍片具有选择性，并且不会增加第一半导体鳍片的锗浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体鳍片 衬底 互补金属氧化物半导体 退火 退火工艺 氧化物层 栅极堆叠 双通道 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成半导体器件的方法，该方法包括：/n在衬底上形成第一半导体鳍片；/n在所述衬底上形成第二半导体鳍片；/n在所述第一和第二半导体鳍片上形成氧化物层；以及/n在有效增加第二半导体鳍片的锗浓度的温度下对所述氧化物层进行退火；/n其中所述退火不会增加所述第一半导体鳍片的锗浓度。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
