[发明专利]具有晶体硅氧化物的绝缘体上硅在审
| 申请号： | 201880032423.8 | 申请日： | 2018-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN110622281A | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 佩卡·洛卡宁;米哈伊尔·库兹敏;雅科·美凯莱;马尔朱卡·图奥米宁;马尔科·蓬基宁;安蒂·拉赫蒂;卡莱维·科科;朱哈-佩卡·莱赫蒂奥 | 申请（专利权）人： | 图尔库大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/762 |
| 代理公司： | 11201 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 宋融冰 |
| 地址： | 芬兰*** | 国省代码： | 芬兰;FI |
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| 摘要： | 一种用于形成半导体结构(200)的方法(100)，所述半导体结构(200)包括用晶体硅氧化物SiO | ||
| 搜索关键词： | 晶体硅 硅衬底 真空室 半导体结构 绝缘体上硅 绝缘材料 氧化物层 氧化压力 层结构 分子层 分子氧 氧化物 顶层 沉积 衬底 加热 清洁 基层 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成半导体结构(200)的方法(100)，所述半导体结构(200)包括用晶体硅氧化物SiO
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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