[发明专利]碳化硅衬底和碳化硅外延衬底在审
| 申请号： | 201880032424.2 | 申请日： | 2018-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN110651072A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 本家翼;冲田恭子 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;H01L21/20 |
| 代理公司： | 11219 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陈海涛;王海川 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 碳化硅衬底具有第一主面和第二主面，并由具有4H多型的碳化硅构成。第一主面的最大直径大于或等于150mm。所述第一主面对应于相对于{0001}面在<11‑20>方向上倾斜大于0°且小于或等于4°的面。所述碳化硅衬底的TTV小于或等于3μm。所述第一主面包含第一中心区域，所述第一中心区域被各边为90mm的正方形围绕。所述第一中心区域的对角线的交点与所述第一主面的中心重合。所述第一中心区域由九个正方形区域构成，各个正方形区域的各个边为30mm。所述九个正方形区域中的最大LTV小于或等于1μm。第二中心区域中的算术平均粗糙度Sa小于或等于0.1nm，所述第二中心区域被以所述交点为中心并且各个边为250μm的正方形围绕。 | ||
| 搜索关键词： | 中心区域 正方形区域 碳化硅 主面 衬底 算术平均粗糙度 对角线 中心重合 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅衬底，所述碳化硅衬底包含第一主面和与所述第一主面相反的第二主面，所述碳化硅衬底由具有4H多型的碳化硅构成，其中/n所述第一主面的最大直径大于或等于150mm，/n所述第一主面对应于相对于{0001}面在<11-20>方向上倾斜大于0°且小于或等于4°的面，/n所述碳化硅衬底的TTV小于或等于3μm，/n所述第一主面包含第一中心区域，所述第一中心区域被各边为90mm的正方形围绕，并且所述第一中心区域的对角线的交点与所述第一主面的中心重合，/n所述第一中心区域由九个正方形区域构成，各个正方形区域的各个边为30mm，/n所述九个正方形区域中的最大LTV小于或等于1μm，并且/n第二中心区域中的算术平均粗糙度Sa小于或等于0.1nm，所述第二中心区域被以所述交点为中心并且各个边为250μm的正方形围绕。/n
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