[发明专利]电子发射元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201880032479.3 | 申请日： | 2018-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN110622275B | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 林秀和;田口登喜生;中松健一郎;岩松正;新川幸治;高崎真苇;金子俊博;新纳厚志 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01J1/312 | 分类号： | H01J1/312;H01J9/02 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝;刘宁军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 电子发射元件(100)具有：第1电极(12)、第2电极(52)、以及设置在第1电极(12)与第2电极(52)之间的半导电层(30)。半导电层(30)具有：多孔氧化铝层(32)，其具有多个细孔(34)；以及银(42)，其担载在多孔氧化铝层(32)的多个细孔(34)内。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 发射 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子发射元件，其特征在于，/n具有：第1电极、第2电极、以及设置在上述第1电极与上述第2电极之间的半导电层，/n上述半导电层具有：多孔氧化铝层，其具有多个细孔；以及银，其担载在上述多孔氧化铝层的上述多个细孔内。/n
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