[发明专利]具有检测器二极管和结终端结构的X射线传感器在审
| 申请号： | 201880032667.6 | 申请日： | 2018-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN110637377A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 米特克·巴科夫斯基·霍尔特里德;马茨·丹尼尔松;许成 | 申请（专利权）人： | 棱镜传感器公司 |
| 主分类号： | H01L31/115 | 分类号： | H01L31/115;H01L27/146;H01L29/06 |
| 代理公司： | 11240 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘彬 |
| 地址： | 瑞典斯*** | 国省代码： | 瑞典;SE |
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| 摘要： | 提供了一种X射线传感器(21)，具有有源检测器区域，该有源检测器区域包括在传感器的第一侧的多个检测器二极管(22)，并且结终端(23)布置在传感器的第二对侧。通常，这意味着结终端(23)从有源检测器区域所在的顶侧移动到传感器的底侧，允许利用检测器二极管到传感器的最边缘来充分利用顶侧处的有源检测器区域。 | ||
| 搜索关键词： | 检测器区域 传感器 检测器二极管 结终端 顶侧 移动 | ||
【主权项】：
1.一种X射线传感器(21)，具有有源检测器区域，所述有源检测器区域包括在所述传感器的第一侧的多个检测器二极管(22)，其中，在所述传感器的第二对侧放置结终端(23)。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
