[发明专利]SiC外延晶片及其制造方法有效
| 申请号： | 201880032744.8 | 申请日： | 2018-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN110637109B | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 深田启介;石桥直人;坂东章;伊藤雅彦;镰田功穗;土田秀一;原一都;内藤正美;上东秀幸;藤林裕明;青木宏文;杉浦利和;铃木克己 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社;一般财团法人电力中央研究所;株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;C30B29/36;C30B25/20;H01L21/205;C23C16/42 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 王潇悦;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实施方式的SiC外延晶片的制造方法具有外延生长工序，所述外延生长工序中，向所述SiC单晶基板的表面供给Si系原料气体、C系原料气体和具有Cl元素的气体，在所述SiC单晶基板上生长所述外延层，所述外延生长工序的生长条件中，成膜压力为30托以下，Cl/Si比为8～12，C/Si比为0.8～1.2，生长速度从生长初期起为50μm/小时以上。 | ||
| 搜索关键词： | sic 外延 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SiC外延晶片，具有SiC单晶基板和设置在所述SiC单晶基板上的外延层，所述SiC单晶基板的主面相对于(0001)面具有0.4°～5°的偏离角，/n所述外延层中，从所述SiC单晶基板连接到外表面的基面位错密度为0.1个/cm
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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