[发明专利]测量目标的方法、量测设备、光刻单元和目标有效
| 申请号： | 201880032928.4 | 申请日： | 2018-05-01 |
| 公开（公告）号： | CN110663002B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | H·A·J·克瑞姆 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张启程 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了用于测量在衬底上形成的目标的方法和设备。所述目标包括对准结构和量测结构。在一种方法中，执行第一测量过程，所述第一测量过程包括利用第一辐射照射目标并检测由第一辐射从目标的散射引起的辐射。第二测量过程包括利用第二辐射照射所述目标并检测由所述第二辐射从所述目标的散射引起的辐射。所述第一测量过程检测所述对准结构的位置。第二测量过程使用由所述第一测量过程检测到的所述对准结构的位置，以将所述第二辐射的辐射斑对准至所述量测结构内的期望部位上。 | ||
| 搜索关键词： | 测量 目标 方法 设备 光刻 单元 | ||
【主权项】：
1.一种测量在衬底上形成的目标的方法，所述目标包括对准结构和量测结构，其中所述方法包括：/n第一测量过程，包括利用第一辐射照射所述目标并检测由所述第一辐射从所述目标的散射引起的辐射；和/n第二测量过程，包括利用第二辐射照射所述目标并检测由所述第二辐射从所述目标的散射引起的辐射，其中：/n所述第一测量过程检测所述对准结构的位置；/n所述第二测量过程使用由所述第一测量过程检测到的所述对准结构的位置，以将所述第二辐射的辐射斑对准至所述量测结构内的期望部位上；和/n所述第二测量过程的辐射斑被使得：/n理论上能够围绕形成所述辐射斑的至少第零阶辐射的最小四边形边界框与所述对准结构相交或围绕所述对准结构；和/n由所述四边形边界框围绕的至少第零阶辐射完全在所述对准结构之外。/n
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