[发明专利]VFET的底部接触件的电阻降低有效
| 申请号： | 201880033111.9 | 申请日： | 2018-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN110637375B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 望月省吾;李忠贤;鲍如强;H.贾根内森 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王蕊瑞 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施例针对具有减小的底部接触电阻的垂直场效应晶体管(VFET)的方法和所得结构。在衬底上形成具有交替的掺杂层和掺杂牺牲层的多层底部掺杂区域。通过去除掺杂牺牲层的一部分来形成一个或多个空腔。在多层底部掺杂区上方形成底部接触件。底部接触件包括一个或多个填充空腔的导电凸缘。 | ||
| 搜索关键词： | vfet 底部 接触 电阻 降低 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：/n在衬底上形成包括交替的掺杂层和掺杂牺牲层的多层底部掺杂区；/n通过去除所述掺杂牺牲层的一部分以形成一个或多个空腔；和/n在所述多层底部掺杂区上形成底部接触件，所述底部接触件包括一个或多个填充所述空腔的导电凸缘。/n
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