[发明专利]半导体装置、显示装置以及半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种电特性良好的半导体装置、一种电特性稳定的半导体装置、或者一种可靠性高的半导体装置或显示装置。在第一金属氧化物层的第一区域上层叠第一绝缘层及第一导电层，以与第一金属氧化物层的不重叠于第一绝缘层的第二区域以及第二金属氧化物层接触的方式形成第一层，进行加热处理以使第二区域及第二金属氧化物层低电阻化，形成第二绝缘层，在第二绝缘层上形成与第二区域电连接的第二导电层。此时，以使其包含铝、钛、钽和钨中的至少一种的方式形成第一层。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：/n在一个表面上形成第一金属氧化物层及第二金属氧化物层；/n形成所述第一金属氧化物层的第一区域上的第一绝缘层以及所述第一绝缘层上的第一导电层；/n形成与所述第一金属氧化物层的第二区域及所述第二金属氧化物层接触的第一层；/n进行加热处理以降低所述第一金属氧化物层的所述第二区域的电阻以及所述第二金属氧化物层的电阻；/n以覆盖所述第一金属氧化物层、所述第二金属氧化物层、所述第一绝缘层以及所述第一导电层的方式形成第二绝缘层；以及/n在所述第二绝缘层上形成与所述第二区域电连接的第二导电层，/n其中，所述第一层包含铝、钛、钽和钨中的至少一种。/n