[发明专利]具有不同沟道长度的垂直传输鳍式场效应晶体管有效
| 申请号： | 201880033254.X | 申请日： | 2018-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN110651365B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 鲍如强;李忠贤;望月省吾;杨振荣 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 吴信刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种形成具有不同沟道长度的多个垂直传输鳍式场效应晶体管(VT FinFETs)的方法，包括：在衬底的第一区域上形成垂直鳍和在衬底的第二区域上形成垂直鳍；在衬底的第二区域上的垂直鳍上形成盖块；在衬底的第一区域上形成第一底部源极/漏极，其中第一底部源极/漏极覆盖第一区域上的垂直鳍的下部；去除盖块；以及在衬底的第二区域中形成第二底部源极/漏极，其中第二底部源极/漏极在衬底的表面下方，其中第二底部源极/漏极不覆盖第二区域上的垂直鳍的下部。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 不同 沟道 长度 垂直 传输 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种形成具有不同沟道长度的多个垂直传输鳍式场效应晶体管(VT FinFETs)的方法，包括：/n在衬底的第一区域上形成垂直鳍，和在衬底的第二区域上形成垂直鳍；/n在衬底的第二区域上的垂直鳍上形成盖块；/n在衬底的第一区域上形成第一底部源极/漏极，其中第一底部源极/漏极覆盖第一区域上的垂直鳍的下部；/n去除盖块；以及/n在衬底的第二区域中形成第二底部源极/漏极，其中第二底部源极/漏极在衬底的表面之下，其中第二底部源极/漏极不覆盖第二区域上的垂直鳍的下部。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
