[发明专利]比较电路、半导体装置、电子构件以及电子设备在审
| 申请号： | 201880033269.6 | 申请日： | 2018-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN110637415A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 松嵜隆德;加藤清 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H03K5/08 | 分类号： | H03K5/08;H01L21/8239;H01L21/8242;H01L21/8244;H01L27/105;H01L27/108;H01L27/11;H01L29/786;H02M3/07 |
| 代理公司： | 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张丹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种能够直接输入要比较的负电压的比较电路。该比较电路包括第一输入端子、第二输入端子、第一输出端子以及差分对。该比较电路对负电压与负参考电压进行比较，根据比较结果从第一输出端子输出第一输出电压。第一输入端子被输入负电压。第二输入端子被输入正参考电压。以进行比较的方式设定正参考电压。差分对包括分别包括背栅极的第一n沟道晶体管及第二n沟道晶体管。第一输入端子与第一n沟道晶体管的背栅极电连接。第二输入端子与第二n沟道晶体管的栅极电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 输入端子 正参考电压 输出端子 背栅极 电连接 负电压 负参考电压 输入负电压 方式设定 输出电压 输出 | ||
【主权项】：
1.一种比较电路，包括：/n第一输入端子；/n第二输入端子；/n第一输出端子；以及/n包括第一n沟道晶体管及第二n沟道晶体管的差分对的差分输入电路，该第一n沟道晶体管及该第二n沟道晶体管都包括栅极及背栅极，/n其中，所述比较电路对负电压与负参考电压进行比较，并根据比较结果从所述第一输出端子输出第一输出电压，/n所述第一输入端子被输入所述负电压，/n所述第二输入端子被输入正参考电压，/n以进行比较的方式设定所述正参考电压，/n所述第一n沟道晶体管的所述栅极和所述背栅极中的一个被输入第一偏置电压，/n所述第一n沟道晶体管的所述栅极和所述背栅极中的另一个与所述第一输入端子电连接，/n所述第二n沟道晶体管的所述栅极和所述背栅极中的一个与所述第二输入端子电连接，/n并且，所述第二n沟道晶体管的所述栅极和所述背栅极中的另一个被输入第二偏置电压。/n
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