[发明专利]半导体元件基板的制造方法在审
| 申请号： | 201880033474.2 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN110663097A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 加藤光治 | 申请（专利权）人： | X-VI株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20;H01L21/265;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的半导体元件基板的制造方法包含以下工序：薄膜形成工序，在该薄膜形成工序中，在第1临时基板(42)上形成分离用薄膜层(45)；基板形成工序，在该基板形成工序中，在分离用薄膜层上形成由第2半导体材料的单晶或多晶构成的预定厚度的支承层(61、6)且在支承层上形成由第3半导体材料的单晶构成的第2薄膜层(80)；元件形成工序，在该元件形成工序中，在第2薄膜层形成半导体元件(9)；以及临时基板去除工序，在该临时基板去除工序中，以分离用薄膜层为界来去除第1临时基板，由此得到在支承层上具有形成有半导体元件的第2薄膜层的半导体元件基板(10)。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜层 临时基板 支承层 去除 半导体元件基板 半导体材料 薄膜形成工序 基板形成工序 元件形成工序 半导体元件 单晶 多晶 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件基板的制造方法，其特征在于，/n该半导体元件基板的制造方法包含以下工序：/n薄膜形成工序，在该薄膜形成工序中，在第1临时基板上形成由第4半导体材料构成的分离用薄膜层；/n基板形成工序，在该基板形成工序中，在所述分离用薄膜层上形成由第2半导体材料的单晶或多晶构成的预定厚度的支承层且在所述支承层上形成由第3半导体材料的单晶构成的第2薄膜层；/n元件形成工序，在该元件形成工序中，在所述第2薄膜层形成半导体元件；以及/n临时基板去除工序，在所述元件形成工序后，在该临时基板去除工序中，以所述分离用薄膜层为界去除所述第1临时基板，由此得到在所述支承层上具有形成有半导体元件的所述第2薄膜层的半导体元件基板。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于X-VI株式会社，未经X-VI株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880033474.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
