[发明专利]实现晶圆探测和测试的硅光子器件架构有效
| 申请号： | 201880033588.7 | 申请日： | 2018-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN110678791B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | A·H·莱西 | 申请（专利权）人： | 赛灵思公司 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/124 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李兴斌 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文的实施例描述了用于使用光栅耦合器(220)测试或对准光子芯片(200)中的光学部件(205，225)的技术。在一个实施例中，光子芯片(200)可以包括边缘耦合器(205)和光栅耦合器(220)，以用于将光子芯片光学地耦合到外部光纤电缆(920)。边缘耦合器(205)可以被布置在光子芯片的一侧或边缘上，而光栅耦合器(220)位于光子芯片的上部或一侧上。在制造期间，边缘耦合器(205)可能不可访问。代替使用边缘耦合器(205)来测试该光子芯片，测试装置(805)可以使用光栅耦合器(220)以及分光器(215)来在光子芯片中的光学部件(例如，调制器或检测器)与光学地耦合到光栅耦合器(220)的测试探针(505)之间传递光学测试信号。 | ||
| 搜索关键词： | 实现 探测 测试 光子 器件 架构 | ||
【主权项】：
1.一种光子半导体芯片，包括：/n边缘耦合器，耦合到第一波导的第一端，其中所述边缘耦合器被布置成沿着所述光子半导体芯片的侧平面传递第一光学信号，其中所述边缘耦合器被配置成在所述第一光学信号传播穿过所述边缘耦合器时改变模大小；/n分光器，耦合到(i)所述第一波导的第二端，(ii)第二波导的第一端，和(iii)第三波导的第一端，其中所述分光器被配置成接收来自所述第一波导、所述第二波导和所述第三波导中的一个波导的第一光学信号，并且将所述第一光学信号的第一衰减部分和第二衰减部分传送到所述第一波导、所述第二波导和所述第三波导中的其余两个波导上；/n光栅耦合器，耦合到所述第二波导的第二端，其中所述光栅耦合器被布置成沿着所述光子半导体芯片的上平面传递第二光学信号，所述上平面与所述侧平面垂直；以及/n光学部件，耦合到所述第三波导的第二端。/n
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