[发明专利]存储器设备以及制造存储器设备的方法在审
| 申请号： | 201880033844.2 | 申请日： | 2018-05-01 |
| 公开（公告）号： | CN110651363A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 角野润;田崎雅幸;深田英幸 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L21/8239 | 分类号： | H01L21/8239;H01L27/105;H01L45/00;H01L49/00 |
| 代理公司： | 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张小稳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据本公开的实施例的存储器设备包含逻辑电路，其中层压包括具有不同布线间距的层的多个布线层，以及设置在多个布线层之间的存储器元件。 | ||
| 搜索关键词： | 布线层 存储器设备 存储器元件 布线 层压 | ||
【主权项】：
1.一种存储器设备，包含：/n逻辑电路，其中堆叠有包括布线间距不同的布线层的多个层；以及/n存储器元件，设置在所述多个布线层之间。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
