[发明专利]合成半导体纳米尺寸材料的方法在审
| 申请号： | 201880033902.1 | 申请日： | 2018-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN110651019A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | D·莫卡塔;I·达维迪;A·霍尔茨曼;S·奈什塔特 | 申请（专利权）人： | 默克专利股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/08;C09K11/56;C09K11/62;H01L33/00 |
| 代理公司： | 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 宓霞 |
| 地址： | 德国达*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及用于合成半导体纳米尺寸材料的方法，可通过所述方法获得的半导体纳米尺寸材料，光学介质和光学器件。在一个方面，本发明涉及用于合成基于魔幻尺寸簇(MSC)的包含至少三种组分的半导体纳米尺寸材料的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体纳米 尺寸材料 纳米尺寸材料 合成半导体 光学介质 光学器件 合成 | ||
【主权项】：
1.合成包含至少三种组分的半导体纳米尺寸材料的方法，其中该方法包括以下步骤：/ni)提供第一前体和第二前体或可通过使所述第一前体和所述第二前体反应获得的半导体纳米尺寸材料；/nii)提供第三前体；/niii)使所述第三前体与所述第一前体和所述第二前体反应，或使所述第三前体与可通过使所述第一前体和所述第二前体反应获得的纳米尺寸材料反应，以获得包含至少三种组分的半导体纳米尺寸材料，/n其特征在于/n所述第一前体是周期表第13族元素的源，优选周期表第13族元素的盐，更优选地，所述第13族元素是In、Ga或其混合物；/n所述第二前体是周期表第15族元素的源，优选地，所述第15族元素是P、As或其混合物；和/n所述第三前体是Zn、Cd或Ga源，优选选自由以下物质组成的组中的一个或多个成员的材料：锌盐、镉盐和镓盐或它们的混合物，优选卤化锌、卤化镉、卤化镓、羧酸锌、羧酸镉和羧酸镓或它们的混合物，更优选ZnCl
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