[发明专利]超小型垂直腔表面发射激光器(VCSEL)的发射器结构以及包括该发射器结构的阵列有效
| 申请号： | 201880034124.8 | 申请日： | 2018-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN110692171B | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 斯考特·伯勒斯;布伦特·费希尔;詹姆斯·卡特 | 申请（专利权）人： | 感应光子公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/42;G01S7/481 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 纪雯 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种激光二极管包括具有下布拉格反射器层、有源区和上布拉格反射器层的半导体结构。上布拉格反射器层包括激光孔，该激光孔具有垂直于有源区的表面定向的光轴。有源区包含第一材料，并且下布拉格反射器层包含第二材料，其中第一材料和第二材料的相应晶格结构彼此独立。还讨论了相关的激光器阵列和制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 超小型 垂直 表面 发射 激光器 vcsel 发射器 结构 以及 包括 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种激光二极管，包括：/n半导体结构，所述半导体结构包括下布拉格反射器层、有源区和上布拉格反射器层，所述上布拉格反射器层包括具有被定向为垂直于所述有源区的表面的光轴的激光孔，/n其中所述有源区包括第一材料，其中所述下布拉格反射器层包括第二材料，且其中所述第一材料和所述第二材料的相应晶格结构彼此独立。/n
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