[发明专利]DC/DC转换器有效
| 申请号： | 201880034430.1 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN110663165B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 村上幸三郎 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H02M3/28 | 分类号： | H02M3/28 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 王娟 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的DC/DC转换器的控制部(10)对IGBT(5a～5d、8b及8d)进行开关控制，将IGBT(8a及8c)设为截止状态，并使IGBT(5a～5d、8b及8d)的占空比变化，从而对从次级侧转换器(200)输出的第一输出电力进行调整。IGBT(5b、5c及8b)同步，并以规定的周期开关，IGBT(5d及8d)相对于IGBT(5b、5c及8b)偏移半个周期的状态(相位偏移180度的状态)开关。 | ||
| 搜索关键词： | dc 转换器 | ||
【主权项】：
1.一种DC/DC转换器，其特征在于，包括：/n初级侧转换器，其具有初级侧电抗器、多个初级侧半导体开关元件及分别与多个所述初级侧半导体开关元件并联的多个初级侧电容器；/n变压器，其具有初级绕组及次级绕组；/n次级侧转换器，其具有次级侧电抗器、多个次级侧半导体开关元件及分别与多个所述次级侧半导体开关元件并联的多个次级侧电容器；以及/n控制部，其对多个所述初级侧半导体开关元件进行控制，并对多个所述次级侧半导体开关元件中的非二极管元件进行控制，/n所述初级侧电抗器与所述初级绕组连接及/或是所述初级绕组的漏电感，/n所述次级侧电抗器与所述次级绕组连接及/或是所述次级绕组的漏电感，/n所述初级侧转换器及所述次级侧转换器分别具有全桥电路，/n所述控制部在进行从所述次级侧转换器输出第一输出电力的第一控制时，/n对所述初级侧转换器的位于第一桥臂上侧的所述初级侧半导体开关元件及所述初级侧转换器的位于第二桥臂下侧的所述初级侧半导体开关元件进行开关控制，以使导通期间一致，/n对所述初级侧转换器的位于第一桥臂下侧的所述初级侧半导体开关元件及所述初级侧转换器的位于第二桥臂上侧的所述初级侧半导体开关元件进行开关控制，以使导通期间一致，/n不对所述次级侧转换器的位于第一及第二桥臂上侧和第一及第二桥臂下侧中的一方的两个开关元件进行开关控制，/n对于所述次级侧转换器的位于第一及第二桥臂上侧和第一及第二桥臂下侧中的另一方的两个所述次级侧半导体开关元件的一方，在其不是二极管的情况下对其进行开关控制，以使得导通期间与所述初级侧转换器的位于第一桥臂上侧的所述初级侧半导体开关元件及所述初级侧转换器的位于第二桥臂下侧的所述初级侧半导体开关元件一致，/n对于所述次级侧转换器的位于第一及第二桥臂上侧和第一及第二桥臂下侧中的另一方的两个所述次级侧半导体开关元件中的另一方，在其不是二极管的情况下对其进行开关控制，以使得导通期间与所述初级侧转换器的位于第一桥臂下侧的所述初级侧半导体开关元件及所述初级侧转换器的位于第二桥臂上侧的所述初级侧半导体开关元件一致，/n通过使所实施的各开关控制的占空比变化，从而对从所述次级侧转换器输出的第一输出电力进行调整。/n
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