[发明专利]用于冷场电子发射的阴极结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201880034581.7 | 申请日： | 2018-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN110709959B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 安加姆·库尔希德;邵修远 | 申请（专利权）人： | 新加坡国立大学 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J19/24;H01J9/02;H01J9/48;H01J37/073 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于冷场电子发射的阴极结构及一种制备用于冷场电子发射的阴极结构的方法。所述阴极结构包括一个尖的阴极线以及至少位于所述尖的阴极线的尖端上的石墨烯基涂层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 冷场 电子 发射 阴极 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于冷场电子发射的阴极结构，包括：/n尖的阴极线；和/n至少位于所述尖的阴极线的尖端上的石墨烯基涂层。/n
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