[发明专利]高纯度电解铜的制造方法有效

专利信息
申请号: 201880035087.2 申请日: 2018-06-01
公开(公告)号: CN110678582B 公开(公告)日: 2021-10-29
发明(设计)人: 樽谷圭荣;久保田贤治;中矢清隆;荒井公 申请(专利权)人: 三菱综合材料株式会社
主分类号: C25C1/12 分类号: C25C1/12
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 刁兴利;康泉
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的高纯度电解铜的制造方法的特征在于,将含有疏水基团的芳香族环和亲水基团的聚氧化烯基的第一添加剂(A)、由聚乙烯醇类构成的第二添加剂(B)及由四唑类构成的第三添加剂(C)添加到铜电解液中,并控制第一添加剂(A)、第二添加剂(B)及第三添加剂(C)的各浓度以及电流密度和浴温以进行铜电解,由此制造如下的电解铜:Ag浓度小于0.2质量ppm、S浓度小于0.07质量ppm以及总杂质浓度小于0.2质量ppm,并且晶粒内平均取向差(称为GOS值)超过2.5°的晶粒以面积比率计为10%以下。
搜索关键词: 纯度 电解铜 制造 方法
【主权项】:
1.一种高纯度电解铜的制造方法,其特征在于,/n将含有疏水基团的芳香族环和亲水基团的聚氧化烯基的第一添加剂A、由聚乙烯醇类构成的第二添加剂B及由四唑类构成的第三添加剂C添加到铜电解液中,/n并将第一添加剂A的浓度设为10mg/L以上且500mg/L以下,将第二添加剂B的浓度设为1mg/L以上且100mg/L以下,将第三添加剂C的浓度设为0.01mg/L以上且30mg/L以下,/n并且将第二添加剂B相对于第一添加剂A的浓度比B/A设为0.1以上且0.8以下,以及将第三添加剂C相对于第一添加剂A的浓度比C/A设为大于0且0.7以下,/n控制电流密度和浴温以进行铜电解,由此制造如下的电解铜:Ag浓度小于0.2质量ppm、S浓度小于0.1质量ppm以及总杂质浓度小于0.2质量ppm,并且晶粒内平均取向差、即GOS值超过2.5°的晶粒以面积比率计为10%以下。/n
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