[发明专利]残渣层去除方法、残渣层去除装置以及显示模块有效
| 申请号： | 201880035144.7 | 申请日： | 2018-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN110678967B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 平野高昭 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;G09F9/00 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 叶乙梅 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种残渣层去除方法、残渣层去除装置以及显示模块。通过去除方法去除附着于用于液晶模块1的液晶面板(11)的阵列基板(30)的ACF(50)的残渣层(50L)，所述去除方法包含：配置工序，在残渣层(50L)的表面配置金属网(60)；加热工序，对残渣层(50L)进行加热而使其软化；压接工序，将通过配置工序而配置于残渣层(50L)的表面的金属网(60)压接于通过加热工序而软化的残渣层(50L)，将构成残渣层(50L)的ACF(50)中的至少一部分压入金属网(60)的开孔(60A)内；以及剥离工序，将ACF(50)被压入开孔(60A)内的金属网(60)从阵列基板(30)上剥离。 | ||
| 搜索关键词： | 残渣 去除 方法 装置 以及 显示 模块 | ||
【主权项】：
1.一种残渣层去除方法，其是去除附着于显示模块所使用的基材的粘接性树脂的残渣层的方法，/n所述残渣层去除方法的特征在于，包含：/n配置工序，在所述残渣层的表面配置金属制多孔质材料；/n加热工序，对所述残渣层进行加热而使其软化；/n压接工序，将通过所述配置工序而配置于所述残渣层的表面的所述金属制多孔质材料压接于通过所述加热工序而软化的所述残渣层，将所述残渣层中的至少一部分压入所述金属制多孔质材料的开孔内；以及/n剥离工序，将所述残渣层被压入开孔内的所述金属制多孔质材料从所述基材上剥离。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
