[发明专利]氮化物晶体基板、半导体层叠物、半导体层叠物的制造方法以及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201880035191.1 | 申请日： | 2018-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN110691867A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 堀切文正;吉田丈洋 | 申请（专利权）人： | 赛奥科思有限公司;住友化学株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C23C16/34;C30B25/02;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/265;H01L33/32 |
| 代理公司： | 11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种氮化物晶体基板，其由III族氮化物的晶体形成，且含有n型杂质，将波长设为λ(μm)、将27℃下的氮化物晶体基板的吸收系数设为α(cm | ||
| 搜索关键词： | 氮化物晶体 式( 1 ) 基板 吸收系数 波长 晶体形成 自由电子 近似 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物晶体基板，其由III族氮化物的晶体形成，且含有n型杂质，/n将波长设为λ(μm)、将27℃下的所述氮化物晶体基板的吸收系数设为α(cm
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