[发明专利]处理条件设定方法、存储介质和基板处理系统在审
申请号: | 201880035426.7 | 申请日: | 2018-05-31 |
公开(公告)号: | CN110678962A | 公开(公告)日: | 2020-01-10 |
发明(设计)人: | 森拓也;西山直;清富晶子;富田浩 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;B05D1/40;B05D3/00;B05D3/06;H01L21/02 |
代理公司: | 11322 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳;王昊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种处理条件设定方法、存储介质和基板处理系统,本方法包括:利用基板处理系统内的摄像装置拍摄作为条件设定的基准的基准基板,取得基准基板的拍摄图像的工序;利用摄像装置拍摄在现在的处理条件进行了规定的处理的已处理基板,取得已处理基板的拍摄图像的工序;计算已处理基板的拍摄图像和基准基板的拍摄图像的颜色信息的偏差量的工序;基于预先取得的相关模型和上述颜色信息的偏差量,计算处理条件的补正量的工序;和基于补正量设定处理条件的工序,在每个处理装置中进行取得基准基板的拍摄图像的工序以外的工序。 | ||
搜索关键词: | 拍摄图像 基准基板 处理基板 基板处理系统 摄像装置 颜色信息 补正量 偏差量 处理装置 存储介质 计算处理 条件设定 拍摄 | ||
【主权项】:
1.一种处理条件设定方法,其设定具备对基板进行规定处理的多个处理装置的基板处理系统中的所述规定处理的处理条件,所述处理条件设定方法的特征在于:/n所述基板处理系统包括拍摄基板的表面侧的摄像装置,/n所述处理条件设定方法包括:/n利用所述摄像装置拍摄作为所述处理条件的设定基准的基板的基准基板,基于拍摄结果,取得所述基准基板的拍摄图像的基准图像取得工序;/n利用所述摄像装置拍摄作为在现在的所述处理条件下进行了所述规定处理的基板的已处理基板,基于拍摄结果,取得所述已处理基板的拍摄图像的已处理图像取得工序;/n计算所述已处理基板的拍摄图像和所述基准基板的拍摄图像的颜色信息的偏差量的偏差量计算工序;/n根据表示基于所述摄像装置的拍摄结果的基板的拍摄图像中的颜色信息的变化量与所述处理条件的变化量的相关信息的相关模型和所述颜色信息的偏差量,计算该规定处理的处理条件的补正量的补正量计算工序;和/n基于计算出的所述补正量和现在的所述处理条件,设定该规定处理的所述处理条件的设定工序,/n在每个所述处理装置中,进行所述已处理图像取得工序、所述偏差量计算工序、所述补正量计算工序和所述设定工序。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201880035426.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造