[发明专利]发光二极管在审
申请号: | 201880035522.1 | 申请日: | 2018-11-13 |
公开(公告)号: | CN110731016A | 公开(公告)日: | 2020-01-24 |
发明(设计)人: | 郭贵田;朱立钦;蔡琳榕;杨力勋 | 申请(专利权)人: | 厦门市三安光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/24 | 分类号: | H01L33/24;H01L33/00;H01L33/38;H01L33/42;H01L33/60;H01L33/64 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 361009 福建省厦*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种发光二极管。在一些实施例中,发光二极管包括:发光外延叠层,包含第一半导体层、有源层和第二半导体层,具有对应的第一表面和第二表面;透光层,形成于所述发光外延叠层的第二表面上;第一金属层,形成于所述透光层之远离所述发光外延叠层的表面上;第二金属层,形成于所述第一金属层之远离所述发光外延叠层的表面上;所述第一金属层和第二金属层构成镜面结构。 | ||
搜索关键词: | 外延叠层 第一金属层 发光 第二金属层 发光二极管 半导体层 第二表面 透光层 第一表面 镜面结构 源层 | ||
【主权项】:
1.发光二极管,包括:/n发光外延叠层,包含第一半导体层、有源层和第二半导体层,具有对应的第一表面和第二表面;/n透光层,形成于所述发光外延叠层的第二表面上;/n第一金属层,形成于所述透光层之远离所述发光外延叠层的表面上;/n第二金属层,形成于所述第一金属层之远离所述发光外延叠层的表面上;/n其特征在于:所述第一金属层和第二金属层构成镜面结构,定义第一金属层对于所述发光外延叠层发射的光线的反射率为R1,第二金属层对于所述发光外延叠层发射的光线的反射率为R2,第一金属层和第二金属层对于所述发光外延叠层发射的光线的复合反射率为R3,则R1<R2,且(R2-R3)/R2<4%。/n
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