[发明专利]适于高温热处理的磁性隧道结在审
| 申请号： | 201880036108.2 | 申请日： | 2018-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN110692144A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 薛林;慈航·清;安在洙;马亨德拉·帕卡拉;汪荣军 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/02;H01L43/10 |
| 代理公司： | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文中的实施方式提供用于在基板上形成磁性隧道结(MTJ)结构的膜堆叠，包含：缓冲层；种晶层，设置在所述缓冲层上；第一钉扎层，设置在所述种晶层上；合成亚铁磁体(SyF)耦合层，设置在所述第一钉扎层上；第二钉扎层，设置在所述SyF耦合层上；结构阻挡层，设置在所述第二钉扎层上；磁性参考层，设置在所述结构阻挡层上；隧道势垒层，设置在所述磁性参考层上；磁性存储层，设置在所述隧道势垒层上；覆盖层，设置在所述磁性存储层上，其中所述覆盖层包含一个或多个层；和硬掩模，设置在所述覆盖层上，其中所述覆盖层、所述缓冲层和所述SyF耦合层的至少一个不由Ru制造。 | ||
| 搜索关键词： | 钉扎层 覆盖层 缓冲层 耦合层 磁性存储层 隧道势垒层 参考层 种晶层 阻挡层 磁性隧道结 膜堆叠 硬掩模 基板 亚铁 合成 制造 | ||
【主权项】：
1.一种用于在基板上形成磁性隧道结(MTJ)结构的膜堆叠，所述膜堆叠包含：/n缓冲层；/n种晶层，设置在所述缓冲层上；/n第一钉扎层，设置在所述种晶层上；/n合成亚铁磁体(SyF)耦合层，设置在所述第一钉扎层上；/n第二钉扎层，设置在所述SyF耦合层上；/n结构阻挡层，设置在所述第二钉扎层上；/n磁性参考层，设置在所述结构阻挡层上；/n隧道势垒层，设置在所述磁性参考层上；/n磁性存储层，设置在所述隧道势垒层上；/n覆盖层，设置在所述磁性存储层上，其中所述覆盖层包含一个或多个层；和/n硬掩模，设置在所述覆盖层上，其中所述覆盖层、所述缓冲层和所述SyF耦合层的至少一个不由Ru制造。/n
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