[发明专利]用于电子设备的能量收集器件在审
| 申请号： | 201880036300.1 | 申请日： | 2018-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN110720148A | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | J·L·罗萨莱斯;V·A·齐里克;M·F·维纶茨;P·王 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L35/32 | 分类号： | H01L35/32 |
| 代理公司： | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈炜;亓云 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种设备，该设备包括：包含发热器件的区域，和耦合到包含发热器件的区域的能量收集器件。能量收集器件包括第一导热层、耦合到第一导热层的热电生成器(TEG)和耦合到热电生成器(TEG)的第二导热层，以使得热电生成器(TEG)位于第一导热层和第二导热层之间。在一些实现中，能量收集器件包括绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 导热层 能量收集 生成器 耦合到 热电 发热器件 绝缘层 | ||
【主权项】：
1.一种设备，包括：/n包括发热器件的区域；以及/n耦合到包括所述发热器件的所述区域的能量收集器件，其中所述能量收集器件包括：/n第一导热层；/n耦合到所述第一导热层的热电生成器(TEG)；以及/n耦合到所述热电生成器(TEG)的第二导热层，以使得所述热电生成器(TEG)位于所述第一导热层和所述第二导热层之间。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高通股份有限公司，未经高通股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880036300.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
