[发明专利]闪锌矿结构III族氮化物有效
| 申请号： | 201880036363.7 | 申请日： | 2018-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN110692120B | 公开（公告）日： | 2023-04-21 |
| 发明（设计）人： | 大卫·约翰·沃利斯;马丁·弗伦特鲁普;门诺·约翰尼斯·卡珀斯;苏曼拉塔·莎欧塔 | 申请（专利权）人： | 剑桥实业有限公司;砧半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种制造包括(001)取向的闪锌矿结构III族氮化物层的半导体结构的方法，例如GaN。该层形成在硅衬底上的3C‑SiC层上。形成成核层，进行再结晶，然后通过MOVPE在750‑1000℃范围内的T3温度下形成厚度至少为0.5μm的闪锌矿结构Ⅲ族氮化物层。还公开了相应的包括闪锌矿结构III族氮化物层的半导体结构，当通过XRD表征时，该层的大部分或全部由闪锌矿结构III族氮化物形成，优先于纤锌矿结构III族氮化物。 | ||
| 搜索关键词： | 闪锌矿 结构 iii 氮化物 | ||
【主权项】：
1.一种制造包括基本上(001)取向的闪锌矿结构III族氮化物层的半导体结构的方法，所述方法包括以下步骤：/n提供硅衬底；/n在所述硅衬底上提供3C-SiC层；/n生长III族氮化物成核层；/n进行成核层再结晶步骤；和/n通过MOVPE在750-1000℃范围内的T3温度下沉积和生长闪锌矿结构III族氮化物层至厚度至少为0.3μm。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
