[发明专利]用于半导体处理中的静电卡盘

摘要

一种半导体衬底处理装置包括：具有处理区域的真空室，半导体衬底能在所述处理区域中被处理；工艺气体源，其与所述真空室流体连通，以将工艺气体供给到所述真空室中；喷头模块，工艺气体从所述工艺气体源通过该喷头模块供给到所述真空室的所述处理区域；以及衬底基座模块。所述衬底基座模块包括由陶瓷材料制成的台板，所述台板具有构造成在处理期间支撑在其上的半导体衬底的上表面；轴，其由陶瓷材料制成；以及嵌入所述台板中的共面电极，所述电极包括外部RF电极和内部静电夹持电极，所述外部RF电极包括环形电极和从所述环形电极延伸到所述台板的中心部分的径向延伸的导线，其中所述台板的所述陶瓷材料和所述电极包括在单个烧结步骤中制成的整体。

主权项

1.一种用于处理半导体衬底的半导体衬底处理装置，其包括：/n包括处理区域的真空室，半导体衬底能在所述处理区域中被处理；/n工艺气体源，其与所述真空室流体连通，以将工艺气体供给到所述真空室中；/n喷头模块，工艺气体从所述工艺气体源通过该喷头模块供给到所述真空室的所述处理区域；以及/n包括静电卡盘的衬底基座模块，所述静电卡盘包括：由陶瓷材料制成的台板，所述台板具有构造成在处理期间支撑在其上的半导体衬底的上表面；以及轴，其由陶瓷材料制成，所述轴具有支撑所述台板的上轴凸缘，所述台板包括嵌入所述台板中的共面电极，所述电极包括外部RF电极和内部静电夹持电极，所述外部RF电极包括环形电极和从所述环形电极延伸到所述台板的中心部分的至少一个径向延伸的馈送条，其中所述台板的所述陶瓷材料和所述电极包括在单个烧结步骤中制成的整体。/n