[发明专利]有源矩阵基板和显示装置有效
| 申请号： | 201880037299.4 | 申请日： | 2018-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN110730984B | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 武田悠二郎;松木园广志;织田明博;村重正悟;田中耕平 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | G09F9/30 | 分类号： | G09F9/30;G02F1/1368;H01L21/336;H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝;张艳凤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式的有源矩阵基板具备基板和支撑于基板的多个氧化物半导体TFT。各氧化物半导体TFT具有：下部栅极电极，其设置于基板上；栅极绝缘层，其覆盖下部栅极电极；氧化物半导体层，其配置于栅极绝缘层上；源极电极，其与氧化物半导体层的源极接触区域接触；漏极电极，其与氧化物半导体层的漏极接触区域接触；绝缘层，其覆盖氧化物半导体层、源极电极以及漏极电极；以及上部栅极电极，其设置于绝缘层上。当从基板的法线方向观看时，上部栅极电极与作为源极电极和漏极电极中的一方的第1电极不重叠，并且作为源极电极和漏极电极中的另一方的第2电极与下部栅极电极不重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 矩阵 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种有源矩阵基板，/n具有由多个像素区域规定的显示区域，/n具备基板和支撑于上述基板的多个氧化物半导体TFT，上述有源矩阵基板的特征在于，/n上述多个氧化物半导体TFT各自具有：/n下部栅极电极，其设置于上述基板上；/n栅极绝缘层，其覆盖上述下部栅极电极；/n氧化物半导体层，其配置于上述栅极绝缘层上，隔着上述栅极绝缘层与上述下部栅极电极重叠，并且包含沟道区域和位于沟道区域的两侧的源极接触区域及漏极接触区域；/n源极电极，其与上述氧化物半导体层的上述源极接触区域接触；/n漏极电极，其与上述氧化物半导体层的上述漏极接触区域接触；/n绝缘层，其覆盖上述氧化物半导体层、上述源极电极以及上述漏极电极；以及/n上部栅极电极，其设置于上述绝缘层上，隔着上述绝缘层与上述氧化物半导体层重叠，/n当从上述基板的法线方向观看时，上述上部栅极电极与作为上述源极电极和上述漏极电极中的一方的第1电极不重叠，并且作为上述源极电极和上述漏极电极中的另一方的第2电极与上述下部栅极电极不重叠。/n
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