[发明专利]用于减少的制造环境占用空间的竖直多批次磁性退火系统有效
| 申请号： | 201880037487.7 | 申请日： | 2018-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN110741467B | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 伊恩·科尔根;伊万·多姆沙;乔治·艾尔斯;齐藤诚;诺埃尔·奥肖内西;石井彻;大卫·赫尔利 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/324;H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 唐京桥;杨林森 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了关于使用竖直多批次直立磁性退火系统来处理微电子工件的退火系统和相关方法的实施方式，该磁性退火系统允许多个退火系统的并排配置以满足减小的占用空间要求。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 减少 制造 环境 占用 空间 竖直 批次 磁性 退火 系统 | ||
【主权项】：
1.一种对多批次工件进行退火的制造系统，包括：/n第一退火系统，其被定位在制造底板上，所述第一退火系统包括：/n竖直熔炉，其具有处理空间；/n工件船，其承载至少一百个工件；/n船装载器，其被布置在所述竖直熔炉下方并且被配置成竖直平移所述工件船并将所述工件定位在所述处理空间内；以及/n磁体，其被定位在所述竖直熔炉外部并且被配置成在所述处理空间内产生磁场；以及/n第二退火系统，其被定位在所述制造底板上，所述第二退火系统包括：/n竖直熔炉，其具有处理空间；/n工件船，其承载至少一百个工件；/n船装载器，其被布置在所述竖直熔炉下方并且被配置成竖直平移所述工件船并将所述工件定位在所述处理空间内；以及/n磁体，其被定位在所述竖直熔炉外部并且被配置成在所述处理空间内产生磁场；/n其中，所述第一退火系统和所述第二退火系统被定位在所述制造底板上，以具有小于9.5m
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
