[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置有效
| 申请号： | 201880037604.X | 申请日： | 2018-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN110892514B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 清井明 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/329;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/868 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 李今子 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在步骤(T1)中，从半导体基板的背面进行受主离子的注入。在步骤(T2)中，通过进行将半导体基板浸渍到含氢氟酸的药液的湿处理，对半导体基板导入氢原子。在步骤(T3)中，通过对半导体基板的背面照射质子，对半导体基板导入氢原子，并且形成照射缺陷。在步骤(T4)中，通过对半导体基板进行退火处理，氢原子和照射缺陷反应而形成氢关联施主，并且照射缺陷减少。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
